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LM4132

    LM4132系列精密电压基准的性能可与最佳的激光微调双极性基准相媲美，但是采用了经济高效的CMOS技术。突破的关键是使用EEPROM寄存器来校正CMOS带隙架构上的曲率，温度系数（tempco）和精度，从而允许封装级编程克服组装偏移。在将芯片组装到塑料封装中期间，电压精度和温度系数的变化限制了用激光技术修整的基准的精度。
    与其他LDO参考不同，LM4132可以提供高达20mA的电流，并且不需要输出电容器或缓冲放大器。这些优势与SOT-23封装一起对于空间至关重要的应用非常重要。
    串联基准电压源比并联基准电压源具有更低的功耗，因为它们在空载条件下不必空载最大可能的负载电流。这种优势，低静态电流（60μA）和低压差（400mV）使得LM4132非常适合电池供电的解决方案。
    LM4132具有五个等级（A，B，C，D和E），以提供更大的灵活性。最佳等级的设备（A）的初始精度为0.05％，指定的温度系数为10ppm/°C或更低，而最低等级的设备（E）的初始精度为0.5％，温度系数为30ppm/℃。

特性

    汽车应用合格
    AEC-Q100符合以下结果：
    器件温度等级1：–40°C至+125°C的环境工作温度范围
    设备HBMESD分类2级
    输出初始电压精度：0.05％
    低温系数：10ppm/°C
    低电源电流：60μA
    使能引脚，允许3μA的关断模式
    20mA输出电流
    电压选项：1.8V，2.048V，2.5V，3V，3.3V，4.096V
    提供自定义电压选项（1.8V至4.096V）
    VIN在10mA时VREF+400mV至5.5V的范围
    用低ESR陶瓷电容器稳定

LM4121

LM4125

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