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IceMOS Technology 成立于 2004 年，致力于将自己打造成具有成本效益/高性能的超级结 MOSFET、MEMS 解决方案和先进工程基板的一流供应商。我们的核心专长是晶圆键合、深度反应离子蚀刻 (DRIE) 和晶圆成型。
我们利用我们在 DRIE 方面的专业知识，为客户在体硅衬底或 SOI 上提供沟槽蚀刻和再填充服务。结合我们的 SOI 和沟槽蚀刻和再填充技术，我们为客户提供独特的介电隔离衬底制备服务。
SOI 材料广泛用于电信产品和光学设备、介电隔离集成电路、固态继电器和用于 MEMS 传感器的微加工组件、执行器和瑞士豪华手表行业的硅手表零件等应用。
如果尚未提供，IceMOS 将直接与客户合作开发独特的专业产品。正因为如此，IceMOS 的产品组合仍然无与伦比。
IceMOS 拥有十多年的专业知识、无与伦比的制造技能和最新的技术发展，确保每个客户从最初的询问到产品交付都能获得出色的服务。除了提供创新的产品开发、设计和专业服务外，IceMOS 的工程团队还提供一系列技术支持。
敬业的团队通过提供半导体行业的最新创新，为客户提供获得量身定制的解决方案和独特服务的机会。
荣获 ISO 9001:2015、ISO 14001:2015 和 IATF 16949:2016 IceMOS 以对质量程序的持续投资而自豪。IceMOS 提供持续的员工培训，确保每位员工都了解高科技制造领域的最新技术进步。
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IntegratedDeviceTechnology,Inc.开发优化客户应用的系统级解决方案。IDT在RF、高性能定时、存储接口、实时互联、光互联、无线电源及智能传感器方面的市场导向型产品，是该公司一系列广泛的通信、计算、消费、汽车和工业领域混合信号完整解决方案的一部分。总部位于加利福尼亚州圣何塞，IDT的设计、生产、销售场所和经销合作伙伴遍及全世界。IDT股票在纳斯达克GlobalSelectStockMarket?上市，股票代号“IDTI”。公司概况成立时间：1980年公司规模：全球约1700人总部地址：加州圣何塞市财政状况：销售额-$728M(2017财年)核心技术：RF、高性能定时、存储接口、实时互联、光互联、无线电源、及智能传感器股票：在纳斯达克(NASDAQ)上市[symbol:IDTI]
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