安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件 提高电动汽车和能源基础设施应用的能效
安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON)推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。
该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有领先业界的超低Rds(on),采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度,采用优化的直接键合铜设计,实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度,适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)。
安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说:“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”
车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发,具有领先同类产品的开关损耗品质因数。
版权与免责声明
1.本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性, 不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。 其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
2.如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
3.近来,不少媒体未经许可擅自转载本网文章;在此,郑重声明。欢迎各媒体转载,但须注明(出处:CIC网)。若发现不注明出处者,将追究其法律责任。