金属污染一直以来是社会环境及良性生态循环的关键要点，如何限制金属污染成为各大检测机构重要的研究项目。英格尔检测已掌握晶圆表面污染检测技术，针对金属的光刻、刻蚀、沉积及清洁等方面所使用的试剂进行检测。英格尔检测专家认为，在制造过程中所使用的机台也是关键控制点，以及在离子注入、反应器、烘箱时所应对的晶圆处理方法。

英格尔

通过常见污染在工艺及产品中可能造成的影响，英格尔检测举例道：

（1）金属污染会造成 p-n 结构中的漏电流，进而导致氧化物的击穿电压降低，以及载流子生命周期的减少。

（2）有机污染物可能会导致晶圆表面产生非预期的疏水性质、增加表面的粗糙度、产生雾化 (haze) 表面、和破坏外延层的生长，且在未先移除污染物的情况下，也会影响金属污染的清洗效果。

（3）粒子污染则可能导致在蚀刻及微影工艺中，产生阻塞 (blocking) 或遮蔽 (masking) 的效应。

英格尔了解到在薄膜成长或沉积过程中，产生针孔 (pinholes) 和微孔(microvoids)，若粒子颗粒较大且具有导电性，甚至会导致线路短路。

英格尔技术专家表示，晶圆表面的洁净度会影响后续半导体工艺及产品的合格率，甚至在所有产额损失中，高达50%是源自于晶圆表面污染。晶圆表面的洁净度对于后续半导体工艺以及产品合格率会造成一定程度的影响，最常见的主要污染包括金属、有机物及颗粒状粒子的残留，而污染分析的结果可用以反应某一工艺步骤、特定机台或是整体工艺中所遭遇的污染程度与种类。早期曾有文献指出，在制造过程中，因未能有效去除晶圆表面的污染而产生的耗损，在所有产额损失中，可能占达 50% 以上的比例。

随着行业工艺的演进，英格尔侦测极限逐渐增高，可以满足此类分析技术的需求。因此英格尔设问：该如何判断此两种检测仪器的使用时机，发挥金属污染分析的最佳表现？

英格尔专家表示，英格尔检测VPD 系统通常具备机器手臂来处理样品，避免人为处理样品过程中可能的污染导入，其机台内部洁净度通常为 Class1 环境，虽然可有效降低测定的背景值和侦测极限，但也因此使得机台建置成本偏高。手动的滚珠法虽然较容易有额外污染的导入，但因简单、便宜、快速且弹性较高，较广被实验室采用。

不论是常见的工业技术还是高端的半导体工艺，金属污染检测已成为重要的合格率分析检测流程与步骤。英格尔晶圆表面污染检测技术，可检测出因微量污染所导致的组件迁移、短路、侵蚀等缺陷。英格尔在保证精准的条件环境下还可掌握工艺控制进行专家一对一咨询。