BD8xAxxEFV-M 4 通道/6 通道 LED 驱动器

BD8xAxxEFV-M 4 通道/6 通道 LED 驱动器ROHM Semiconductor 用于 LCD 背光的 4 通道/6 通道 LED 驱动器有助于降低中型和大型汽车显示器的功耗ROHM BD83A04EFV-M、BD83A14EFV-M 和 BD82A26MUF-M 4 通道/6 通道 LED 驱动器 IC 专为汽车信息娱乐系统和仪表盘中的中大型汽车显示器而设计。传统的 LED 驱动器消耗相对较大的功率，使其在 PWM 调光期间容易出现闪烁。相比之下，ROHM 的 LCD 背光 LED 驱动器将专有的低功耗技术与无缝 PWM 调光相结合，消除了显示屏亮度从低到高变化时的闪烁。这些产品利用专有的低功耗技术来减少 LED 驱动器电流控制电路中的损耗。结果是在典型条件下（每通道 80 mA LED 电路电流，12 V 电源），整体 IC 功耗比传统产品低 20%。这有助于降低存在功耗问题的中型到大型汽车显示器的功耗。所有型号均配备 DC 和 PWM 调光功能，以满足广泛的需求。ROHM 独创的无缝 PWM 调光技术不再需要为低/高亮度变化切换电流反馈模式，因此减少了一般 PWM 调光出现的闪烁，提高了系统可靠性。特性通过 AEC-Q100 认证DC 和 PWM 调光闪烁消除低功耗应用仪表盘车载信息娱乐系统平视显示 (HUD)电子后视镜（侧视/后视）兼容从 5” 到 10” 以上的各种显示器尺寸产品属性类型描述选择类别集成电路（IC）电源管理（PMIC）LED 驱动器制造商Rohm Semiconductor系列Automotive, AEC-Q100包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带产品状态在售类型DC DC 稳压器拓扑升压内部开关是输出数4电压 - 供电（最低）4.5V电压 - 供电（最高）48V电压 - 输出50V电流 - 输出/通道120mA频率200kHz ~ 2.42MHz调光模拟，PWM应用汽车级工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装型封装/外壳24-VSSOP（0.220"，5.60mm 宽）裸露焊盘供应商器件封装24-HTSSOP-B基本产品编号BD83A04

LED 驱动器

2023.06.07

OPTIREG™ | DC/DC SBC 系列

英飞凌的 DC/DC SBC 结合了高效开关模式电源与 CAN FD 和多达四个 LIN 收发器。该DC/DC系统基础芯片具有一个带 5 V 或 3.3 V 输出电压的开关模式电源 (SMPS) 稳压器、另一个 5 V 低压降稳压器、一个 CAN 和多达四个符合最新汽车标准和 OEM 要求的 LIN 收发器。这些器件包括支持 ECU 功能安全概念的故障保护功能、用于监控触发信号的唤醒输入、具有完全唤醒功能的低功耗模式下的极低静态电流。所有器件均采用散热焊盘 VQFN-48 (7 x 7 mm) 封装。整个系列是软件兼容的（也与其他英飞凌 SBC 产品兼容），并且 DC/DC SBC 系列是引脚对引脚兼容的。

汽车电子技术

2023.06.01

HYPERRAM™ - 外形小巧的低引脚数、高带宽pSRAM

HYPERRAM™ 是具备 HyperBus™ 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存储阵列的内部结构类似于 DRAM，而外在行为则与 SRAM 相似。DRAM 阵列需要定期刷新以保持数据完整性。HyperRAM™ 可在主机未进行主动读取或写入存储器时，从内部实现 DRAM 阵列刷新操作。由于主机无需执行任何刷新操作，因此，在主机看来 DRAM 阵列是静态单元，可以保留数据而无需刷新。所以，HYPERRAM™被称为伪静态随机存储器 (PSRAM) 。这些低功率、高性能、低引脚数 pSRAM 适用于需要额外的RAM来缓冲数据、音频、图像和视频等的应用，或者需要扩展存储器用作便笺式存储器，以进行数据密集型计算的应用。

新能源汽车

2023.06.01

SEMPER™ Secure NOR 闪存

SEMPER™ Secure NOR 闪存是您可以信赖的闪存。它以较低的总拥有成本为汽车、工业和通信系统提供安全性和可靠性。这种先进、安全且易于使用的 NOR 闪存以无与伦比的系统完整性保护代码和数据免受攻击。它建立在久经考验的 SEMPER™ NOR 闪存系列之上，结合了先进的安全性和行业领先的功能安全性和可靠性，并且经过精心设计，可终身使用。SEMPER™ Secure 随附我们的 SEMPER™ 软件开发套件 (SDK)，可轻松实现系统集成并加快上市。

新能源存储器

2023.06.01

用于仪表盘的 32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex®

用于仪表盘的 TRAVEO™ T2G 汽车微控制器 (MCU) 系列具有新的图形架构，可为汽车显示系统提供更强大、功能更丰富的图形引擎。该产品系列提供最广泛的可扩展性，涵盖传统仪表盘、混合仪表盘和虚拟仪表盘。微控制器内置的图形引擎以线条为操作基础，可将图形处理所需的内存降至最低。凭借经优化的 2.5D 图形引擎和高密度嵌入式闪存及视频 RAM，TRAVEO™ T2G 图形 MCU可支持分辨率高达 2880 x 1080 的虚拟仪表盘。TRAVEO™ T2G 仪表盘系列通过单一平台 MCU 解决方案消除了笨重、耗能的热机械设计，并通过集成 VRAM 中基于即时渲染的创新技术进一步降低了成本。这个不断壮大的高性能 MCU 系列具有可扩展性，并提供 ARM® Cortex® CPU 的各种配置。

仪表盘

2023.06.01

德州仪器发布UCC5880－Q1 碳化硅栅极驱动器，助力高压系统设计创新

“德州仪器（TI）近日发布了一款最新的碳化硅栅极驱动器产品——UCC5880-Q1。该产品旨在帮助客户克服在高压系统设计中遇到的技术难题，特别为电动汽车和混合动力汽车的高压半导体应用提供创新解决方案。发布会上，德州仪器混动汽车/电动汽车部门总经理吴万邦和德州仪器中国汽车半导体事业部技术支持经理郭津一起介绍了该新品的特点和应用领域，以及对电动汽车的贡献，同时也提及了德州仪器在高压技术领域的整体策略和目标。”德州仪器（TI）近日发布了一款最新的碳化硅栅极驱动器产品——UCC5880-Q1。该产品旨在帮助客户克服在高压系统设计中遇到的技术难题，特别为电动汽车和混合动力汽车的高压半导体应用提供创新解决方案。发布会上，德州仪器混动汽车/电动汽车部门总经理吴万邦和德州仪器中国汽车半导体事业部技术支持经理郭津一起介绍了该新品的特点和应用领域，以及对电动汽车的贡献，同时也提及了德州仪器在高压技术领域的整体策略和目标。TI表示，在汽车应用中，公司在半导体创新领域有着明确的目标，包括帮助用户延长汽车行驶里程、改善电动汽车充电性能和效率、提高电动汽车的经济实惠性以及设计安全可靠的电动汽车系统。为实现这些目标，德州仪器不仅专注于栅极驱动器技术，还涉足车载充电器方案和整套的电池管理系统解决方案等领域。UCC5880-Q1是什么？UCC5880-Q1栅极驱动器被定位为应用于电驱动系统中的牵引逆变器驱动技术。这款驱动器产品具备可调驱动技术，能够根据工况提高牵引逆变器的整体效率，同时具备高集成度，帮助降低设计复杂度并提高系统功率密度。该产品符合功能安全ASIL-D 设计标准，并通过实时调节栅极驱动强度来平衡开关速度和电压过冲，从而提高系统可靠性。UCC5880-Q1的推出将大大满足工程师对电动汽车高压电源以及电驱动设计目标的现实，例如：一、更高效的牵引逆变器；二、更高的功率密度，在输出相同功率的情况下减小体积，或在相同体积的情况下输出更大的功率；三、高可靠性的系统；四、降低系统复杂度，使用更少的元器件设计出相同功能的系统。UCC5880-Q1使得牵引逆变器运行效率提升2%牵引逆变器需要大功率设计，并且需要实现安全、可靠和更高的效率。从工程师方面了解到，其实市面上，牵引逆变器产品的效率已经达到了 90% 以上，继续优化比较困难，更高压的设计需求和新半导体器件的使用，会带来产品结构更迭和散热限制等挑战。使用TI的UCC5880-Q1器件优化系统后，预估牵引逆变器的运行效率可以提升最大约 2%。牵引逆变器高压模块从 IGBT 换成 SiC 后还会带来新的挑战，因此可以确认的是即使是 2% ，对系统设计来说都是非常高的提升。TI整体策略--为系统提供完整的解决方案德州仪器的整体策略是为系统提供完整的解决方案，而不仅仅提供芯片级别的产品。除了UCC5880-Q1栅极驱动器，德州仪器还提供了一系列与牵引逆变器系统相关的解决方案，包括符合ASIL-D标准的MCU、C2000™ 实时控制器、反激式控制器（可以充当系统的辅助供电），针对分布式辅电等未来趋势，TI还提供全集成式的辅助供电模块、隔离电压/电流检测采样、隔离电源检测等。此外，德州仪器还注重与合作伙伴的紧密合作，以实现全面的系统优化。在发布会上，发言人介绍了TI与 Wolfspeed 共同开发的 300kW牵引逆变器参考设计，其将 UCC5880-Q1 和 Wolfspeed 的 SiC 模块搭配使用，并完成整体测试和认证。这款参考设计不只包含原理图和 PCB 布线，还提供实物可供客户评估。功能包括栅极驱动、辅助供电、隔离供电、MCU，均采用 TI 的芯片方案来完成设计。UCC5880-Q1的实时调节功能优势在发布会上TI发言人提到“TI SiC栅极驱动器让牵引逆变器更安全、高效，将车辆的年行驶里程延长多达1600公里”。这是因为UCC5880-Q1 驱动器通过更低的系统成本，以及对驱动能力的实时调节，可以将逆变器系统效率提升最大约 2%，从而延长电动汽车行驶里程。下面一个例子进一步解释这个数字，如果用户每周充三次电，每次充电都可以提升 11 公里的行驶里程，一年下来行驶里程可以提升约 1600 公里。在 UCC5880-Q1 中，TI设计了可实时调节栅极驱动强度的功能，可以让用户在系统运行时，在 5A 到 20A 的范围内调整驱动电流。在此基础上，这款器件还符合 ISO 26262 功能安全设计标准，可以支持设计人员更快速、更安全、更高效地设计牵引逆变器系统。可调驱动功能可以让用户实现开关速度和电压过冲的平衡。这是因为，碳化硅可以实现更高的开关速度，从系统效率的角度来说，开关速度越快，开关损耗越低，效率也就越高；从系统可靠性的角度来说，开关速度越快，可能导致更大的电压过冲，进而影响模块可靠性。而UCC5880-Q1中的可调节功能也正是这款产品的优势。同时TI也推出了新的评估板，将UCC5880-Q1 驱动器和辅助供电模块 UCC14141-Q1 搭配使用，帮助客户实现更小的体积和更简单的电路。TI 大力投资高压电源技术在电动汽车中，高电压技术不仅用在牵引逆变器中，还会用在车载充电器 OBC 和高压转低压的 DC/DC 中。该技术涵盖四类主要产品：一是氮化镓，TI 生产车规级氮化镓全集成式方案，将驱动、保护和功率部分集成在一个封装里，可以更大限度地实现小体积。二是隔离式栅极驱动器，除了 UCC5880-Q1外， 还包括用于 OBC 和 DC/DC 中的高压栅极驱动器。三是搭配使用的辅助供电方案，TI 可以提供隔离式的辅助电源模块，用更小的体积实现更好的性能。四是 C2000 实时控制器，可以帮助客户更简单地设计高压电源。吴经理分享TI 在高压技术领域的三个目标。第一，通过半导体器件的创新，帮助用户更大限度地减少开关损耗；第二，通过小体积设计，包括简化外围器件，帮助用户提高功率密度；第三，通过技术创新，更大限度提高功率管的开关速度，并增强驱动强度。总结，随着电动汽车市场的不断增长和对高压系统的需求日益增加，德州仪器作为半导体行业的领军企业，将继续致力于推动高压技术的创新和应用。UCC5880-Q1栅极驱动器的发布标志着该公司在高压系统设计创新方面的重要进展。该产品的独特技术和全面解决方案的理念将为电动汽车行业带来新的发展机遇，推动电动汽车技术的进一步发展，为人们创造更加智能、环保的出行体验。德州仪器在高压技术领域的领导地位和不断创新的动力将持续引领行业发展，为未来的可持续交通做出更多贡献。

驱动器 电动汽车 逆变器

2023.05.30

Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3V，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。产品编号IF(AV) (A)IFSM (A)IF 下VF (V)QC (nC)配置封装VS-3C04ET07S2L-M34291.512单D2PAK 2LVS-3C06ET07S2L-M36421.517单D2PAK 2LVS-3C08ET07S2L-M38541.522单D2PAK 2LVS-3C10ET07S2L-M310601.4629单D2PAK 2LVS-3C12ET07S2L-M312831.534单D2PAK 2LVS-3C16ET07S2L-M3161041.544单D2PAK 2LVS-3C20ET07S2L-M3201101.553单D2PAK 2LVS-3C04ET07T-M34291.512单TO-220AC 2LVS-3C06ET07T-M36421.517单TO-220AC 2LVS-3C08ET07T-M38541.522单TO-220AC 2LVS-3C10ET07T-M310601.4629单TO-220AC 2LVS-3C12ET07T-M312831.534单TO-220AC 2LVS-3C16ET07T-M3161041.544单TO-220AC 2LVS-3C20ET07T-M3201101.553单TO-220AC 2LVS-3C16CP07L-M32 x 8541.522共阴极TO-247AD 3LVS-3C20CP07L-M32 x 10601.4629共阴极TO-247AD 3LVS-3C40CP07L-M32 x 201101.553共阴极TO-247AD 3L新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为八周。VISHAY简介Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。The DNA of tech.  是Vishay Inter technology的商标。

肖特基二极管

2023.05.27

思特威推出两颗高帧率面阵CMOS图像传感器新品，赋能工业机器视觉相机应用

思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），重磅推出2MP和1.3MP两颗高帧率工业面阵CMOS图像传感器新品——SC235HGS和SC135HGS。这两款芯片搭载创新的SmartGS-2 Plus技术，具备高影像性能（高感度、高量子效率、低噪声）、高速（高帧率、高快门效率）、高动态范围三大性能优势。作为思特威工业级机器视觉应用系列最新产品，SC235HGS和SC135HGS可广泛适用于工业检测场景，确保无失真的成像和高速的图像采集性能，为工业相机带来了更精确、高效的视觉检测、质量控制和生产优化能力，助力提升工业生产的效率和品质。随着工业领域对智能化、自动化的需求日益增长，机器视觉技术成为提高生产效率和质量的重要手段。CMOS图像传感器作为机器视觉的核心元件，广泛应用于工业检测、识别、测量等场景。据Yole预测，未来四年内，工业CIS市场将保持高速增长，到2027年市场规模将达到11.77亿美元。先进SmartGS-2 Plus技术加持，以更强性能打造高可靠性视觉检测应用凭借着高测量精度和实时成像的视觉数据采集能力，全局快门传感器被广泛用于检测、识别、分拣等多种工业级机器视觉应用场景，在消除运动模糊和提升图像质量方面具有明显优势。SC235HGS和SC135HGS采用思特威创新的SmartGS-2 Plus技术，基于全局快门技术和背照式像素结构设计，带来更高的感光度和更佳的量子效率(QE)，且应用了High Density MIM(HD MIM)工艺，大幅降低了随机噪声，改善图像质量。SmartGS-2 Plus技术的加持下，SC235HGS和SC135HGS基于更小的3.45μm像素尺寸，实现了比前代4.0μm产品更加出色的成像性能。具备高感光度、高QE、低噪声三大特点的SC235HGS和SC135HGS图像传感器可大幅提高专业机器视觉应用对快速移动零件的检测能力，实现在低照度环境下的高质量图像捕捉，提高生产效率。      高感度结合思特威独特的SFCPixel专利技术，SC235HGS和SC135HGS芯片感光度高达13490mV/lux*s，即使置身在夜间或低照度环境下，也能捕获明亮而清晰的图像，使得工业机器视觉应用能够更准确地捕捉物体，提高扫描的精度和可靠性。      高QE在SmartGS-2 Plus先进技术加持下，SC235HGS和SC135HGS峰值量子效率(peak QE)可达90%，与前代技术产品相比，提升了约7%。即使在低光照工业环境中，新产品的高QE性能仍然能够帮助机器视觉相机准确地检测和测量目标，高效解决自动化流水线视觉信息采集难题。      低噪声借助思特威创新的超低噪声外围读取电路技术，SC235HGS和SC135HGS实现了更佳的噪声抑制，并进一步优化了产品在高温下的成像性能。在16倍增益下SC235HGS和SC135HGS的固定噪声(FPN)低至2.03e-，与前代技术产品相比，大幅降低了约77%。此外，两颗芯片均实现了低至0.62%的PRNU，暗电流(DC)在80°C环境下更是低至350e-/s，与前代技术产品相比，分别降低了26%及39%以上，不仅带来干净明细、低噪声的成像效果，同时也改善了新品在高温下的成像性能。支持高帧率模式，以更快的速度铸就高精度工业影像系统工业相机的帧率决定着设备的测量效率，因此为了让工业生产更加便捷、高效，对高帧率图像传感器的需求一路高涨。在SmartGS-2 Plus先进技术和高帧率设计的加持下，SC235HGS和SC135HGS拥有出色的快门效率（PLS提升至>40000），并分别支持高达130fps和160fps的帧率，大幅提升了图像传感器的采集速度和稳定性，助力图像采集系统在工业机器视觉应用中实现实时的监测和分析，以高速度和高精度保障工厂产线产品的优良率、产能与精细度。不惧光线干扰，HDR功能提升工业检测精度工业机器视觉相机经常需要面对复杂恶劣的操作环境，搭载高动态范围(HDR)功能的CIS能够在低光照、高对比度或强烈的光线变化背景下捕捉到更多的细节和纹理，从而产生更准确的图像。SC235HGS和SC135HGS在全局快门架构下实现了无运动伪影的HDR成像功能，能够在单帧图像中灵活地调整曝光，从而呈现出丰富的暗部和亮部的细节，使得图像的动态范围得到有效拓展（达到90dB以上）。能够更好地适用于如光照不均匀或者亮度极端的检测环境，大幅提高检测的准确性和可靠性,助力提升生产效率和质量控制。思特威首席市场官(CMO)章佩玲女士表示：“人工智能技术的快速发展正在各行各业创造良好的发展条件和技术环境，日益成为推动生产力升级的驱动力量。特别是在工业领域，越来越多的制造企业采用机器视觉系统进行自动化检测，以提高效率并降低成本，从而实现生产效益最大化。思特威早在2018年就开始拥抱机器视觉新蓝海，前瞻布局专业级工业传感器细分赛道，以技术驱动产品创新，帮助客户打造更强的产品竞争力，市场优势获得不断提升。我们将继续充分发挥自身优势，借助前沿的机器视觉CMOS图像传感器技术助力企业实现提质、降本、增效，为制造业向高质量发展迈进提供有力支持。”目前思特威已发布了8颗专业级机器视觉应用CIS产品。未来思特威还会进一步全方位地布局高速工业芯片产品，以高性能成像品质赋能客户应用，为工业智能化升级提供支撑。目前SC235HGS&SC135HGS均已接受送样，预计将在2023年Q4实现量产。想了解更多关于SC235HGS&SC135HGS的信息，请与思特威销售人员联系。

图像传感器

2023.05.25

芯片国产化如何变化与变革形成一种新格局

随着技术的不断进步，芯片已经成为现代科技发展的核心。芯片国产化一直是我国科技发展的重要任务之一，也是实现国家信息化、智能化、数字化的重要支撑。当前，随着国家政策的不断支持和企业的积极探索，我国芯片产业正处于一个快速发展的阶段，已经取得了一定的成就。本文将从国产芯片的发展历程、现状以及未来展望来探讨芯片国产化如何变化与变革应用形成一种新格局。 一、国产芯片的发展历程 我国芯片产业起步较晚，自上世纪80年代以来，我国一直处于芯片的消费者地位，芯片市场完全被外国厂商垄断。2000年以后，我国政府开始加强对芯片产业的支持力度，出台了一系列政策措施，鼓励国内企业加大研发投入，提高AT91R40008-66AU芯片自主创新能力。在政府支持和企业努力下，我国芯片产业逐步发展起来。 2001年，我国首次研制成功一款32位微控制器芯片，标志着我国芯片产业研发能力的实现。2006年，我国研制出第一款自主知识产权的通用服务器芯片，实现了对服务器芯片的自主掌控。2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014-ic/" title="2014型号">2014年，我国自主研发的龙芯3A处理器性能达到了国际水平。2017年，我国成功研制出首颗量子通信芯片，标志着我国芯片产业已经进入到了一个高科技领域。 二、国产芯片的现状 虽然我国芯片产业已经取得了一定的成就，但与国际先进水平相比，还存在一定差距。目前，我国芯片产业主要分为两个方向：一是自主创新，二是国际化合作。在自主创新方面，我国芯片产业已经取得了一定的成果，但芯片的核心技术仍然掌握在国外，我国芯片产业仍然面临着技术壁垒的问题。在国际化合作方面，我国芯片企业与国际巨头的合作已经取得了一定进展，但在核心技术上仍然面临着受制于人的问题。 三、国产芯片的未来展望 随着全球芯片产业的竞争加剧，我国芯片产业的发展也面临着新的机遇和挑战。未来，我国芯片产业需要继续加强自主创新，提高核心技术研发能力。同时，加强与国际巨头的合作，吸收先进技术和经验，提高芯片产业的国际竞争力。此外，需要加快芯片产业的升级转型，从制造业向技术服务业转型，提高附加值和竞争力。最终，实现国产芯片的全面自主可控，成为国际一流的芯片制造大国。 四、芯片国产化如何变化与变革应用形成一种新格局 在芯片国产化的过程中，需要加强政府和企业的合作，充分发挥市场机制的作用。政府需要出台更多的支持政策，鼓励企业加大研发投入，提高自主创新能力。同时，企业也需要积极探索创新模式，加强技术研发和人才培养，提高市场竞争力。在芯片产业的发展中，需要重视开放合作，吸收国际先进技术和经验，提高自身的竞争力。最终，通过创新、合作和开放，实现芯片国产化的全面发展，形成一种新的产业格局。

国产芯片

2023.05.25