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肖特基二极管
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3V，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。
器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。
产品编号
IF(AV) (A)
IFSM (A)
IF 下VF (V)
QC (nC)
配置
封装
VS-3C04ET07S2L-M3
4
29
1.5
12
单
D2PAK 2L
VS-3C06ET07S2L-M3
6
42
1.5
17
单
D2PAK 2L
VS-3C08ET07S2L-M3
8
54
1.5
22
单
D2PAK 2L
VS-3C10ET07S2L-M3
10
60
1.46
29
单
D2PAK 2L
VS-3C12ET07S2L-M3
12
83
1.5
34
单
D2PAK 2L
VS-3C16ET07S2L-M3
16
104
1.5
44
单
D2PAK 2L
VS-3C20ET07S2L-M3
20
110
1.5
53
单
D2PAK 2L
VS-3C04ET07T-M3
4
29
1.5
12
单
TO-220AC 2L
VS-3C06ET07T-M3
6
42
1.5
17
单
TO-220AC 2L
VS-3C08ET07T-M3
8
54
1.5
22
单
TO-220AC 2L
VS-3C10ET07T-M3
10
60
1.46
29
单
TO-220AC 2L
VS-3C12ET07T-M3
12
83
1.5
34
单
TO-220AC 2L
VS-3C16ET07T-M3
16
104
1.5
44
单
TO-220AC 2L
VS-3C20ET07T-M3
20
110
