HAT2218R型号描述
型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
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HAT2218R | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO. LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |
Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | ![]() |
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HAT2218R | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching | ![]() |
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HAT2218R-EL-E | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching | ![]() |
HAT2218R型号货源
型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
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28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
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28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 | |||||
28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
HAT2218R品牌产品资料属性