PTFA211001E供应商库存共有 5 条
更新时间: 2025-04-09 05:10:52
PTFA211001E中文资料 文件大小:223.75 Kbytes 页面数量: 9 页 描述:热增强型高功率射频LDMOS FET 100 W,二一一○年至2170年兆赫 [Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 2110-2170 MHz] 厂家:Infineon Technologies
型号 数量 厂商 批号 封装
全选 批量询价
首页 1 尾页 共1页,到第
深圳市特力微科技有限公司 山海芯城(深圳)科技有限公司