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更新时间: 2024-10-25 00:49:24
IPB60R190C6ATMA1中文资料 文件大小: 1260 K 页面数量: 19 页 描述:[Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN] 厂家:
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