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更新时间： 2025-01-10 20:25:22
IPB200N15N3中文资料 文件大小： 551 K 页面数量： 12 页 描述：OptiMOS?3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） [OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)] 厂家：
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