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更新时间: 2025-04-12 06:13:16
HUF76629D3ST_F085中文资料 文件大小: 372 K 页面数量: 6 页 描述:[Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2] 厂家:
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