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更新时间: 2025-03-11 08:45:13
FQD19N10TM中文资料 文件大小:545.19 Kbytes 页面数量: 8 页 描述:[Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3] 厂家:Fairchild Semiconductor
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