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更新时间: 2025-04-07 02:22:16
BF1009S中文资料 文件大小: 84 K 页面数量: 8 页 描述:硅N沟道MOSFET四极管(针对低噪声,高增益控制输入级可达到1GHz工作电压9V综合偏置网络) [Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)] 厂家:
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