型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| VI20150SG | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |  |
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| VI20202G-M3/4W | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VI20200C-E3 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VI20120SG-E3 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VI20202C-M3/4W | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VI20150S-E3 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VI20150S | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | |
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| VI20150C-E3 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Trench MOS Schottky technology | |
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| VI20100SG | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | |
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| VI20200C | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6800 | 原装 | 深圳市荣科微科技有限公司销售九部 |
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