型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
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| IDW30G65C5_12 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. |  |
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| IDW30E65D1_13 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
Rapid Switching Emitter Controlled Diode | |
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| IDW40G65C5B | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
650V SiC Schottky Diode DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 | |
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| IDW60C65D1XKSA1 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
Emitter Controlled Diode Rapid 1 Common Cathode Series DIODE 650V 60A RAPID 1 TO247-3 | |
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| IDW40E65D1 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
Ultra fast recovery DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | |
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| IDW40E65D2 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
Qualified according to JEDEC for target applications DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | |
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| IDW32G65C5B | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
650V SiC Schottky Diode DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | |
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| IDW20G65C5B | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
650V SiC Schottky Diode DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 | |
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| IDW10G65C5_12 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. | |
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| IDW32G65C5B_15 | InfineonInfineon Technologies 英飞凌英飞凌科技公司 |
650V SiC Schottky Diode | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 39500 | 原装 | 深圳市特力微科技有限公司 |
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