ICE20N170B中文资料PDF规格书
| 品牌型号： | ICE20N170B |
| 品牌厂商： | Icemos Technology |
| 企业简介： | IceMOS Technology 成立于 2004 年，致力于将自己打造成具有成本效益/高性能的超级结 MOSFET、MEMS 解决方案和先进工程基板的一流供应商。我们的核心专长是晶圆键合、深度反应离子蚀刻 (DRIE) 和晶圆成型。 我们利用我们在 DRIE 方面的专业知识，为客户在体硅衬底或 SOI 上提供沟槽蚀刻和再填充服务。结合我们的 SOI 和沟槽蚀刻和再填充技术，我们为客户提供独特的介电隔离衬底制备服务。 SOI 材料广泛用于电信产品和光学设备、介电隔离集成电路、固态继电器和用于 MEMS 传感器的微加工组件、执行器和瑞士豪华手表行业的硅手表零件等应用。 如果尚未提供，IceMOS 将直接与客户合作开发独特的专业产品。正因为如此，IceMOS 的产品组合仍然无与伦比。 IceMOS 拥有十多年的专业知识、无与伦比的制造技能和最新的技术发展，确保每个客户从最初的询问到产品交付都能获得出色的服务。除了提供创新的产品开发、设计和专业服务外，IceMOS 的工程团队还提供一系列技术支持。 敬业的团队通过提供半导体行业的最新创新，为客户提供获得量身定制的解决方案和独特服务的机会。 荣获 ISO 9001:2015、ISO 14001:2015 和 IATF 16949:2016 IceMOS 以对质量程序的持续投资而自豪。IceMOS 提供持续的员工培训，确保每位员工都了解高科技制造领域的最新技术进步。 |
| 中文名称： | Icemos 技术 |
| 官网网址： | |
| 功能描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 品牌原厂商标： |  |
| 数据资料： | |
| 文件大小： | 530 Kbytes |
| 页数数量： | 9 页 |
产品属性资料