型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
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| HAT3019R | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO. LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |
N-Channel and P-Channel MOSFET use advanced trench Technology |  |
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| HAT3019R-EL-E | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching |  |
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| HAT3019R | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Power MOSFETs and IGBT for PDP | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 39500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 39500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 39500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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