型号描述
型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
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GT5040 | HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社 |
USCAR specified connector as SAE/USCAR-19 | ||
GT50JR21(STA1,E,S) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT | ||
GT50J121_06 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | ||
GT50J122 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
Current Resonance Inverter Switching Application | ||
GT50J101 | TOSHIBA |
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GT50S101 | TOSHIBA |
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GT50J328 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
Bipolar Small-Signal Transistors | ||
GT50J123 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT | ||
GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT | ||
GT50J327 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Current Resonance Inverter Switching Application |
型号货源