ATC800A0R5BT中文资料PDF规格书
品牌型号: | ATC800A0R5BT |
品牌厂商: | RF Micro Devices |
企业简介: | 美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaPHBT...等,堪称世界一流的射频集成电路设计公司。本于对产品的价格竞争、品质要求、技术创新,该公司目前有8个设计中心,6个分处位于美国、1个位于加拿大(Canada)、1个位于丹麦(Denmark),成立至今,已拥有之客户都是全球一流公司,例如:Nokia,Motorola,Samsung,Sony-Ericsson,Sony,Kyocera,Siemens,Fujitsu,Cisco,3COM,HP,Delphi,Maxon...等。目前,提供市场应用的产品,区分为四大领域:手持式行无线移动装置(WirelessHandsets)无线局域网络(WLAN802.11A/B/G)基础通讯设备(WirelessInfrastructure)篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth&GPS)应用主要产品:手持式行无线移动装置(WirelessHandsets)无线局域网络(WLAN802.11A/B/G)基础通讯设备(WirelessInfrastructure)篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth&GPS)应用 |
中文名称: | RF Micro Devices |
官网网址: | |
功能描述: | 90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER |
品牌原厂商标: | |
数据资料: | |
文件大小: | 1.91471 Mbytes |
页数数量: | 14 页 |
产品属性资料