ATC100A220JT中文资料PDF规格书
| 品牌型号： | ATC100A220JT |
| 品牌厂商： | RF Micro Devices |
| 企业简介： | 美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991，总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC)，1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%，由一群射频设计之专业研发团队所成立，设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上，设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术，例如：AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaPHBT...等，堪称世界一流的射频集成电路设计公司。本于对产品的价格竞争、品质要求、技术创新，该公司目前有8个设计中心，6个分处位于美国、1个位于加拿大（Canada）、1个位于丹麦（Denmark），成立至今，已拥有之客户都是全球一流公司，例如：Nokia,Motorola,Samsung,Sony-Ericsson,Sony,Kyocera,Siemens,Fujitsu,Cisco,3COM,HP,Delphi,Maxon...等。目前，提供市场应用的产品，区分为四大领域：手持式行无线移动装置(WirelessHandsets)无线局域网络(WLAN802.11A/B/G)基础通讯设备(WirelessInfrastructure)篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth&GPS)应用主要产品：手持式行无线移动装置(WirelessHandsets)无线局域网络(WLAN802.11A/B/G)基础通讯设备(WirelessInfrastructure)篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth&GPS)应用 |
| 中文名称： | RF Micro Devices |
| 官网网址： | |
| 功能描述： | 380W GaN WIDEBAND PULSED |
| 品牌原厂商标： |  |
| 数据资料： | |
| 文件大小： | 773 Kbytes |
| 页数数量： | 11 页 |
产品属性资料